豊田工業大学 / 工学部先端工学基礎学科
卒業研究【シミュレーションを用いた窒化ガリウム(GaN)ダイオードの特性解析】
微弱な電圧の整流には、低損失なダイオードが求められますが、シリコン(Si)を用いたpnダイオードのオン電圧は0.7Vであるため適していません。GaNを用いることで低損失なトランジスタ(p型GaN HEMT)が作製できます。また、p型GaN HEMTのゲート電極とチャネルの一方の電極を接続することでダイオードを構成することができます。 私は、整流効率の高いダイオードの実現に向けデバイスシミュレータを用いて、p型GaN HEMTとダイオードの特性解析を行いました。その結果、実際の素子特性を再現し、電流機構を明らかにしました。